[发明专利]三维多级花状钴钛尖晶石纳米材料的制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202010460190.0 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111620385A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 高强;李海涛;王官帅 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: C01G51/00 分类号: C01G51/00;B82Y40/00;B01J23/75;B01J35/08;B01J35/10;B01J37/10;C02F1/72;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38
代理公司: 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 代理人: 孔灿
地址: 430000 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种三维多级花状钴钛尖晶石纳米材料的制备方法,包括以下步骤:将钴源溶解在乙二胺溶液中,获得钴源–乙二胺前驱体;将钛源溶解在丙三醇的水溶液中,获得钛源–丙三醇前驱体;将钴源–乙二胺前驱体和钛源–丙三醇前驱体加入到碱溶液中,混合均匀后在180~220℃下反应12~48h,反应结束后离心、洗涤、干燥,即得到三维多级花状钴钛尖晶石纳米材料。本发明制得的钴钛尖晶石纳米材料具有球形花状微观形貌,且表现出单分散、纯相晶型、孔道结构发达(~10.8nm)和比表面积大(113.6m2·g–1)等特点。本发明的制备方法具有工艺简单、成本低廉、方便快捷的优点,且产量大,易于规模化生产。
搜索关键词: 三维 多级 花状钴钛 尖晶石 纳米 材料 制备 方法 及其 应用
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