[发明专利]多层发光量子点器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010461592.2 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111477759A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 管子豪;龙能文;骆意勇 申请(专利权)人: 合肥福纳科技有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 王焕
地址: 230000 安徽省合肥市新站*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及量子点技术领域,尤其是涉及一种多层发光量子点器件及其制备方法。多层发光量子点器件,自下而上包括底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极;所述量子点发光层包括交替设置的量子点层和缓冲层;所述电子传输层与所述量子点发光层的缓冲层相贴合。本发明通过引入缓冲层,降低空穴跃迁克服的势垒,提高器件的空穴传输速率,增加激子在量子点发光层中的复合几率,提高器件的性能;同时,将缓冲层作为多层量子点层之间的分隔层,以此来制作多层发光器件来增加发光面积,提高器件性能。
搜索关键词: 多层 发光 量子 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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