[发明专利]一种CMOS片内三维结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010462188.7 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111584498B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 葛星晨 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/118 | 分类号： | H01L27/118 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS片内三维结构的形成方法，包括：在硅衬底上形成环状突起的单晶硅种子层区域；在非种子层区域形成第一层CMOS晶体管；形成第一层层间介质层，并使单晶硅种子层区域露出；在第一层层间介质层上覆盖一多晶硅层，并使两者的表面平齐；加热使多晶硅层熔融并再结晶，利用围绕多晶硅的单晶硅，使多晶硅转变为单晶硅，形成单晶硅层；在单晶硅层上形成第二层CMOS晶体管；形成第二层层间介质层；形成第一层CMOS晶体管和第二层CMOS晶体管之间的互连。本发明能够增加片内CMOS晶体管的密度，减少所需的互连长度，提高产品的性能，减少单个芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 三维 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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