[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010462407.1 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111834496B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。GaN成核层与GaN填平层之间的插入层包括依次层叠在GaN成核层上的SiN子层、InN子层与AlGaN子层。SiN子层的表面平整度相对较好。SiN子层上层叠的InN子层性质较为稳定，在SiN子层上生长时，不易由于高温而出现分解的情况，保证InN子层生长完毕时，InN子层整体表面较为均匀，AlGaN子层可以形成Ga原子占据较大面积的Ga性表面，Ga原子占据较大面积的Ga性表面则可以与GaN填平层进行良好接触，使得在AlGaN子层上生长的GaN填平层具有较好的晶体质量与表面平整度，最终提高发光二极管外延片的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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