[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010463077.8 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745401A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵颖石;杨成成;刘欢;陈海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构和半导体结构的形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一电极材料层；在所述第一电极材料层表面形成若干相互分立的磁隧道结，并且在每个所述磁隧道结顶面形成第二电极层；在所述磁隧道结以及所述第二电极层侧壁面形成侧墙；在形成所述侧墙后，去除所述衬底表面暴露的第一电极材料层，以形成第一电极层。从而，提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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