[发明专利]一种深腔刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 202010464271.8 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111620297B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 钟晓辉;洪燕;张睿;黎家健;屠兰兰 申请(专利权)人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 代理人: 胡国英
地址: 518057 广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种深腔刻蚀方法,所述深腔包括大腔和与所述大腔形成台阶的小腔,其特征在于,该方法包括如下步骤:提供一至少包含上表面的硅基底;在所述硅基底的上表面形成氧化层;所述氧化层的厚度为a,在所述氧化层背离所述硅基底的一面旋涂涂布第一光刻胶并将其图案化;以图案化的所述第一光刻胶为掩膜刻蚀所述氧化层形成图案氧化层,所述图案氧化层包括贯通所述氧化层且与所述大腔具有相同形状的第一开口;通过在硅基底的上表面形成图案化的图案氧化层作为刻蚀硅基底的掩模,仅需两次旋涂涂布即可刻蚀形成具有台阶的深腔,避免成本更高效率更低的光刻胶喷涂工艺,降低了工艺成本,提高了产能。
搜索关键词: 一种 刻蚀 方法
【主权项】:
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