[发明专利]一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法有效
| 申请号： | 202010468778.0 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111663087B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 付翀;王金龙;侯锦丽;闫贞;王亮;姜凤阳;王俊勃 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | C22C47/14 | 分类号： | C22C47/14;C22C49/02;C22C49/14;H01H1/0237;H01H11/04;C22C101/02 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶须增强银氧化锡电接触合金的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、制备氧化锡晶须；步骤2、使用氧化锡晶须制备晶须增强银‑氧化锡复合粉体；步骤3、使用晶须增强银‑氧化锡复合粉体制备晶须增强银基电接触合金。能够控制氧化锡在银基体中的形态，提高第二相氧化锡在银基体中的分散性，使得合金内部第二相氧化物分布均匀；氧化锡晶须具有强度高、模量高、耐热性好、相容性良好等特点，利用氧化锡晶须增强可以有效的提高银基电接触合金的力学性能和物理性能；氧化锡晶须的特殊结构可以在电弧侵蚀作用下维持第二相的均匀性，大大提高银氧化锡电接触合金的性能和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氧化 接触 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工程大学，未经西安工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010468778.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
