[发明专利]一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法有效
| 申请号： | 202010470174.X | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111647829B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 付翀;王金龙;侯锦丽;闫贞;常延丽;姜凤阳;王俊勃 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | C22C49/02 | 分类号： | C22C49/02;C22C49/14;C22C47/14;C01G19/02;C30B29/16;C30B29/62;C30B7/14;H01H1/0237;H01H11/04;C22C101/02 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、制备氧化锡晶须；步骤2、制备氧化锡颗粒；步骤3、使用氧化锡晶须和颗粒制备晶须颗粒混杂增强银‑氧化锡复合粉体；步骤4、使用银‑氧化锡复合粉体制备晶须颗粒混杂增强银基电接触合金；本发明一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法能够控制氧化锡在银基体中的形态，提高第二相氧化锡在银基体中的分散性，使得合金内部第二相氧化物分布均匀；并且由于氧化锡晶须在银氧化锡电接触材料中的骨架束缚作用，能够在电弧侵蚀作用下维持第二相的均匀性，以提高银氧化锡电接触合金的性能和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 颗粒 混杂 增强 氧化 接触 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
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