[发明专利]基板处理装置及其控制方法在审
| 申请号： | 202010470221.0 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112038258A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 枇杷聪;冈村聪;五师源太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够提高使用了超临界状态的处理流体的干燥处理后的晶圆的清洁度的基板处理装置及其控制方法。基板处理装置具有：处理容器，具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理空间中朝向液体供给超临界状态的处理流体；第1排气管线，与第1排气源连接，利用第1排气压使处理空间排气；第2排气管线，与有别于第1排气源的第2排气源连接，在第1排气源和处理空间之间与第1排气管线连接，利用第2排气压经由第1排气管线使处理空间排气；以及控制部，控制第2排气压。超临界状态的处理流体与液体接触而干燥基板。控制部在处理流体供给部停止向处理空间供给处理流体的期间使第2排气压高于第1排气压。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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