[发明专利]一种CIS芯片扇出型封装方法有效
申请号: | 202010472471.8 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111627947B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 秦飞;张理想;赵帅;陈沛;安彤;代岩伟;公颜鹏 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种CIS芯片的扇出型封装制作方法,该方法利用玻璃基体的透光特性,将CIS芯片倒置嵌入到带槽的玻璃基体中,对CIS芯片的正面和侧面进行包封,然后通过TSV工艺将导电结构引到包封侧壁玻璃基体上,实现扇出封装。本发明先将CIS芯片倒置嵌入玻璃基板上再进行面板级封装,增加了封装的可操作性,封装工艺过程简单,可靠性高。面板级封装的过程结合了晶圆级封装金属布线线宽,线间距小、精度高的优势和面板级封装倍增的封装数量,明显提高了封装质量和效率,大大降低了封装成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 cis 芯片 扇出型 封装 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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