[发明专利]测试结构、测试方法以及半导体结构有效
| 申请号： | 202010472797.0 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111584386B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨素慧;王志强;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试结构、测试方法以及半导体结构，在半导体衬底的切割沟道设置测试结构，所述测试结构包括相对设置的第一电极层和第二电极层以及位于两电极层之间的绝缘层，第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极，第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极，绝缘层具有和所述第一电极层接触且和所述第二电极层不接触的测试通孔，所述通孔包括与所述第一测试电极接触的第一通孔以及与所述第二测试电极接触的第二通孔，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压。通过所述第一电压和所述第二电压能够确定所述测试通孔是否偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 以及 半导体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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