[发明专利]承受电气过应力故障条件的应用的耐高压电路架构在审

专利信息
申请号: 202010472908.8 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN112018103A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: J·A·萨塞多;何林峰 申请(专利权)人: 美国亚德诺半导体公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/74
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张小稳
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及承受电气过应力故障条件的应用的耐高压电路架构。公开一种具有耐高压电过载电路架构的半导体芯片。半导体芯片的一个实施方案包括信号焊盘、接地焊盘、与信号焊盘电连接的核心电路以及堆叠晶闸管保护装置。堆叠的晶闸管包括电堆叠在信号焊盘与接地焊盘之间的第一晶闸管和电阻式晶闸管,相对于仅采用晶闸管的实施方式,这提高了电路的保持电压。另外,所述电阻式晶闸管包括交叉耦合和在所述PNP双极晶体管的集电极和所述NPN双极晶体管的集电极之间的电连接的PNP双极晶体管和NPN双极晶体管。这允许电阻式晶闸管基于电流水平显示晶闸管特性和电阻特性。
搜索关键词: 承受 电气 应力 故障 条件 应用 高压 电路 架构
【主权项】:
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