[发明专利]测试结构、测试方法以及半导体结构

摘要

本发明公开了一种测试结构、测试方法以及半导体结构，所述测试结构包括第一测试电极以及第二测试电极，两测试电极之间具有绝缘介质。第一测试电极与第一测试端子电连接，第二测试电极与半导体衬底电连接，复用半导体衬底为第二测试端子，两测试端子用于在所述第一测试电极以及所述第二测试电极之间形成电压差，以检测所述第一测试电极与所述第二测试电极之间的金属间介质漏电流。这样，只需要为第一测试电极单独设置一个测试端子，复用半导体衬底作为第二测试电极的第二测试端子，减少了一个测试端子，节约测试端子，缩小了尺寸，减少对切割沟道的占用面积，可以在切割沟道内设置更多的同种测试功能的测试结构和/或不同种测试功能的测试结构。