[发明专利]一种硅异质结SHJ太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 202010475562.7 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111584669B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 韩安军;刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;杜俊霖;陈红元;周华;谢毅 | 申请(专利权)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/20;H01L31/0224;H01L21/68 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周孝湖 |
地址: | 610000 四川省成都市双流区中国(*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅异质结SHJ太阳能电池及其制备方法,属于半导体光电转换领域,以解决由于太阳能电池金属电极图形类型量大,会耽误大量时间和产能,造成经济损失,同时银耗量比较高的缺陷。该SHJ太阳电池金属栅线电极包括一组多个平行的金属细栅线和边框线,金属细栅线和边框线组成的图形四个边角分别设置有预留定位的Mark点,依靠Mark点进行图形精确定位,在此异质结太阳电池的第一受光面和第二受光面原图形基础上,制备主栅电极、定位线、防断栅线等,完成其他所需电极图形的制备,可作为一种新产品满足组件制备需要,亦可根据需要将金属电极图形快速变化为常用的多种太阳电池产品金属电极图形,缩短产品交货时间,加快满足客户需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅异质结 shj 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的