[发明专利]一种硅异质结SHJ太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010475562.7 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111584669B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 韩安军;刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;杜俊霖;陈红元;周华;谢毅 申请(专利权)人: 中威新能源(成都)有限公司
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747;H01L31/20;H01L31/0224;H01L21/68
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 周孝湖
地址: 610000 四川省成都市双流区中国(*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种硅异质结SHJ太阳能电池及其制备方法,属于半导体光电转换领域,以解决由于太阳能电池金属电极图形类型量大,会耽误大量时间和产能,造成经济损失,同时银耗量比较高的缺陷。该SHJ太阳电池金属栅线电极包括一组多个平行的金属细栅线和边框线,金属细栅线和边框线组成的图形四个边角分别设置有预留定位的Mark点,依靠Mark点进行图形精确定位,在此异质结太阳电池的第一受光面和第二受光面原图形基础上,制备主栅电极、定位线、防断栅线等,完成其他所需电极图形的制备,可作为一种新产品满足组件制备需要,亦可根据需要将金属电极图形快速变化为常用的多种太阳电池产品金属电极图形,缩短产品交货时间,加快满足客户需求。
搜索关键词: 一种 硅异质结 shj 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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