[发明专利]功率器件的制作方法在审
| 申请号： | 202010475738.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111540683A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;邢军军;黄璇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/288;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种功率器件的制作方法，涉及半导体制造领域，该功率器件的制作方法包括在衬底上形成功率器件的单元结构，所述功率器件为IGBT；形成正面金属层；对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；在所述衬底的背面形成集电区；在所述衬底的背面覆膜；利用化学镀工艺在所述衬底的正面形成目标金属；去除贴附所述衬底背面的膜；在所述衬底的背面形成金属层；解决了利用化学镀工艺增加正面金属厚度和硬度，容易造成晶圆碎片的问题；达到了改善化学镀后金属脱落情况，优化IGBT制作工艺与化学镀工艺的结合效果的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
