[发明专利]一种范德华介电材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010475921.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111621746B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 翟天佑;刘开朗;金宝;李会巧 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/24;H01L29/51;H01L29/778 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;孔娜 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于二维材料制备领域，并具体公开了一种范德华介电材料及其制备方法和应用，包括如下步骤：以无机分子晶体作为蒸发源，采用热蒸镀的方法，使无机分子晶体在高真空下发生升华，同时保持其完整的分子结构，从而蒸镀得到范德华薄膜。由于无机分子不存在不饱和化学键，该范德华薄膜表面无悬挂键，从而完成范德华介电材料的制备。本发明制备的范德华薄膜，可作为二维材料电子器件的介电材料，能够显著减少二维沟道材料中的载流子散射源，从而保证二维材料具有高的迁移率；同时制备工艺与半导体制备工艺相兼容，易于实现规模化制备和集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 范德华介电 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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