[发明专利]一种鳍型半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010476301.7 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111613537A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭;谭俊;颜强 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍型半导体器件及其制造方法。制造方法包括：提供衬底；对衬底进行第一次刻蚀，以形成凸起于衬底的鳍型沟道；在鳍型沟道的两侧和顶部形成氧化物材质的保护层；对衬底进行第二次刻蚀，使凸起于衬底的鳍型沟道向下延伸，以构成未被保护层遮挡的底部鳍型沟道；对底部鳍型沟道进行氧化，并保留被保护层阻挡的顶部鳍型沟道；以及去除保护层和氧化后的底部鳍型沟道，以使顶部鳍型沟道悬空于衬底。本发明的一方面所提供的制造方法工艺流程简单，制造成本可控。本发明的另一方面所提供的鳍型半导体器件具有悬空于底部衬底的鳍型沟道以及覆盖悬空鳍型沟道的全包围栅极，从而有效地改进了鳍型场效应晶体管的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
