[发明专利]温度调整装置、基板处理装置以及控制载置台的控制方法在审
申请号: | 202010476790.6 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN112053971A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 小泉克之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供温度调整装置、基板处理装置以及控制载置台的控制方法。该温度调整装置具备:载置台,其具有多个加热部和多个温度检测部,所述多个加热部设置于在径向和周向上分别具有至少两个以上的单独区段的区段区域内的每个所述单独区段,所述多个温度检测部设置于多个所述单独区段,且数量比所述单独区段的数量少;以及控制装置,其根据所述温度检测部检测出的温度来控制在第一单独区段和第二单独区段设置的所述加热部,所述第一单独区段是设置有所述温度检测部的单独区段,所述第二单独区段是与所述第一单独区段同步地进行控制且未设置所述温度检测部的单独区段,其中,所述控制装置具有切换与所述第一单独区段同步地进行控制的第二单独区段的切换部。 | ||
搜索关键词: | 温度 调整 装置 处理 以及 控制 载置台 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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