[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

公开了一种3D存储器件及其制造方法。3D存储器件包括衬底，衬底上形成有掺杂阱区；叠层结构，位于衬底的第一表面上，叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿叠层结构的多个沟道柱；停止层，位于沟道柱底部与衬底的掺杂阱区之间；以及多个通孔，贯穿衬底，从衬底的第二表面上分别延伸至每个沟道柱的底部，通孔内填充有多晶硅，多个沟道柱的底部通过多晶硅和掺杂阱区形成共源极连接。该存储器件在衬底的阱区与叠层结构之间加入了停止层，保证了沟道柱和通孔的刻蚀深度，并且从衬底的第二表面形成填充有多晶硅的通孔，使得沟道柱通过阱区和多晶硅共同形成共源连接，提高了存储器的擦除和编程速度，从而提高存储器件良率和可靠性。