[发明专利]物理气相沉积装置在审
| 申请号： | 202010480191.1 | 申请日： | 2020-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN111733391A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 章星;熊攀;李远;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，设置在所述反应腔室的底部且与溅射靶材相对；直流电源，用于通过直流馈入部件耦接于所述溅射靶材；射频电源，用于通过射频馈入部件耦接于所述溅射靶材；其中，所述直流馈入部件和所述射频馈入部件同轴分布，并且与所述中轴线同轴。本申请将直流电源和射频电源放置在溅射靶材的中轴线上，并且同轴分布，则射频电源发出的射频功率从中轴线位置输入，其产生的耦合电容也位于中轴线，使得射频馈入均匀，从而导致最终在反应腔室内产生的等离子体分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 装置 | ||
【主权项】：
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