[发明专利]一种晶圆键合界面缺陷的检测方法及存储介质有效
| 申请号： | 202010482220.8 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111599709B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈超;许向辉;姬峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N29/06;G01N29/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明提供一种晶圆键合界面缺陷的检测方法及存储介质中，所述晶圆键合界面缺陷的检测方法包括以下步骤：将键合晶圆放置于扫描位置，使得所述键合晶圆的键合界面处于检测门限窗口内，且使得所述键合晶圆的金属层处于参考门限窗口内；扫描检测门限窗口收集所述检测门限窗口的回波信号，将所述检测门限窗口的回波信号作为检测信号；扫描参考门限窗口收集所述参考门限窗口的回波信号，将所述参考门限窗口的回波信号作为参考信号；将所述检测信号与所述参考信号通过逻辑运算得到差异信号。如此设置，避免了重复导入和建立图形信息的问题，提高了检测效率；提高检测程式的检测灵敏度，避免空洞缺陷信号被直接过滤掉而发生漏检的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆键合 界面 缺陷 检测 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010482220.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种化霜装置、方法及空调器
- 下一篇：一种汽车同步器齿圈外圆的校圆检验设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
