[发明专利]一种高密度芯片的扇出型封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010483217.8 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111668120A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王新;蒋振雷 | 申请（专利权）人： | 杭州晶通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L21/78 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张超 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度芯片的扇出型封装结构，包括被塑封层塑封的硅基转接板，与被塑封的硅基转接板触点电连接的重新布线层，以及设置于重新布线层表面的锡球，所述硅基转接板包括至少三层二氧化硅互联层，被其中一层表层二氧化硅层包裹的多片硅片以及贯穿三层二氧化硅和硅片空隙的金属互联柱，金属互联柱间间距为5～50um。本发明还公开了此种高密度芯片的扇出型封装结构的制备方法。采用本发明的设计方案，实现了对具有超精细引脚结构的高密度芯片进行扇出型集成封装的工艺结构，弥补了目前常规的扇出型封装技术在该方面的不足，扩展了扇出型封装技术的应用范围和领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 芯片 扇出型 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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