[发明专利]图像传感器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010483350.3 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113013183A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 邱威超;张浚威;郭景森;许峰嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及图像传感器器件及其制造方法。一种方法，包括：在器件衬底的正面上形成第一光致抗蚀剂层并且具有彼此间隔开的第一沟槽。使用第一光致抗蚀剂层作为掩模来执行第一注入工艺，以在器件衬底中形成第一隔离区域。第二光致抗蚀剂层被形成在正面上并且具有第二沟槽。使用第二光致抗蚀剂层作为掩模来执行第二注入工艺，以在器件衬底中、并且与第一隔离区域交叉地形成第二隔离区域。第三光致抗蚀剂层被形成在正面上并且具有彼此间隔开的第三沟槽。使用第三光致抗蚀剂层作为掩模来执行第三注入工艺，以在器件衬底中、并且与第一隔离区域交叉但与第二隔离区域间隔开地形成第三隔离区域。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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