[发明专利]紫外发光二极管外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010483434.7 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111564538B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘锐森;蓝文新;刘召忠;林辉;杨小利 | 申请（专利权）人： | 江西新正耀光学研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 341700 江西省赣州*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法，涉及发光二极管生产技术领域，包括：衬底、第一AlN层，第二AlN层，SiN |
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| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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