[发明专利]具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010483503.4 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111875828A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 杜伯学;邢继文;李进;许然然;肖萌;冉昭玉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08J5/18;C08G73/10;C09D127/16;C08L79/08;H01G4/18;H01G4/33 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨欢 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于聚合物薄膜领域，具体涉及一种具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜及其制备方法。具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜包括聚酰亚胺PI薄膜以及聚偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氯二氟乙烯PVTC薄膜。本发明提出一种具有高击穿场强的聚合物电容器复合薄膜及其制备方法。结果表明复合薄膜的击穿场强相对于单层薄膜的场强大大提升。由于存在界面势垒作用，阻止了电荷迁移和电树枝的生长，复合薄膜的击穿场强均大于单层薄膜PI与P(VDF‑TrFE‑CFE)的击穿场强。当PI含量为83％时，复合薄膜的击穿场强达到最大，比相同厚度的PI薄膜的击穿场强高26％。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 场强 聚合物 电容器 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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