[发明专利]一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法有效
| 申请号： | 202010483586.7 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111628047B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 袁玲;王芹芹;瞿辉;曹玉甲 | 申请（专利权）人： | 常州顺风太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213123 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法，包括如下步骤：a、双面制绒：b、单面旋涂：c、单面氧化：在旋涂面形成一层含硼氧化硅层；d、形成重、轻掺杂区基底：使用掩模方式，在对应金属栅线位置形成保护重掺杂区的有机掩膜层；使用HF完全去除有机掩膜层覆盖区外的含硼氧化硅层及硼源，再去除有机掩膜层；e、完成重、轻掺杂：使用管式低压扩散法将旋涂的硼源完全推进硅基体中，形成重掺杂区；再进行整面通源沉积，形成轻掺杂区；最后进行高温氧化形成80‑100nm厚度的BSG层；后按照正常后续工序进行。本发明可使硼选择性发射极可以得到更高的光电转换效率，从而提高太阳能电池的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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