[发明专利]存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法

摘要

本发明涉及存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串及操作性穿阵列通孔TAV的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的绝缘层次与导电层次的堆叠。所述堆叠包括TAV区域及操作性存储器单元串区域。在所述堆叠中在所述操作性存储器单元串区域中形成操作性沟道材料串，且在所述堆叠中在所述TAV区域中形成虚拟沟道材料串。在所述TAV区域中以绝缘体材料替代所述虚拟沟道材料串的至少大部分沟道材料，且在所述TAV区域中形成操作性TAV。本发明还揭示其它方法及独立于方法的结构。