[发明专利]非易失性存储器件和存储系统有效
| 申请号： | 202010484342.0 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111667860B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郭东勋;姜熙雄;徐準浩;李熙元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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