[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 202010485997.X | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111584638B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚;赖惠先 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括衬底，所述衬底上有一鳍状结构，浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，其中所述浅沟槽隔离结构具有一阶梯状顶面，并具有第一顶面以及高于所述第一顶面的第二顶面，以及一栅极结构，跨越部分所述浅沟槽隔离结构以及部分所述鳍状结构，其中所述栅极结构具有一阶梯状的底面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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