[发明专利]平面可控硅器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010487333.7 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111584617A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 邵长海;车振华;左建伟;孙传帮;刘向雨;隋伟;李铁男 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/332;H01L29/74 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供平面可控硅器件及其制作方法，涉及半导体器件制作技术领域。采用环形结终端扩展区替换现有技术中的深阱环，环形结终端扩展区紧贴在第一基区的四周，环形结终端扩展区的结深低于第一基区的结深。环形结终端扩展区可以在第一电极和第三电极施加电压时降低电场，从而也能提高整个平面可控硅器件的耐受电压。环形结终端扩展区在制作时，只需要进行正常的离子(比如硼)注入扩散即可，不需要采用专业的注铝设备，可以降低平面可控硅器件的制作成本。同时，环形结终端扩展区的结深较浅，制作环形结终端扩展区的耗时较短，可以确保平面可控硅器件的制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 可控硅 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林华微电子股份有限公司，未经吉林华微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010487333.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
