[发明专利]利用对称中心缺陷的红外与激光兼容伪装膜系结构

摘要

本发明公开了一种利用对称中心缺陷含二维半导体材料的红外与激光兼容伪装膜系结构：B[AB]nT[BA]nB，A、B膜层为固态材料层，固态材料选自ZnS、ZnSe、PbTe、Al2O3、Te、Ge、Si、SiO2、TiO2、Si3N4、MgF2、PbF2中的任意一种或两种以上；若A、B两膜层介质的折射率分别为nA、nB，单膜层厚度分别为dA、dB，则存在关系：nAdA≈nBdB≈2650nm，且nAdA+nBdB＝5300nm；所述T为中心缺陷膜层，T膜层厚度dT≤10nm。本发明具备3～5μm与8～14μm双红外波段高反射，并在10.6μm激光附近频域形成“挖孔”现象，急剧减小呈现低反射率的光子局域特性，从而具备红外与激光兼容伪装功能，性能优异，膜系结构简单，为规避红外与激光复合模式的联合探测的光学综合伪装防护需求提供了解决方案。