[发明专利]硅光子晶圆的打点标记方法及装置有效
申请号: | 202010493082.3 | 申请日: | 2020-06-03 |
公开(公告)号: | CN111755341B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 冯朋;肖希;刘敏;吴定益 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67;H01L23/544 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 崔晓岚;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开是关于一种硅光子晶圆的打点标记方法及装置。该方法包括:确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片;若所述硅光子晶圆中存在失效芯片,根据所述失效芯片的失效模式,通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记。通过本公开实施例利用探针标记方法针对失效芯片的失效模式,对失效芯片进行打点标记,在失效芯片上形成标记失效模式的针痕标记,从而实现通过针痕标记的不同区分出失效芯片不同的失效模式,探针标记操作简单、使用方便,可快速高效的标记出失效芯片的失效模式。 | ||
搜索关键词: | 光子 打点 标记 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光谷信息光电子创新中心有限公司,未经武汉光谷信息光电子创新中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010493082.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造