[发明专利]一种钼承烧钵以及半导体陶瓷半导化工艺

摘要

本发明提供了一种钼承烧钵以及半导体陶瓷半导化工艺。钼承烧钵为长方体结构，长度方向的两侧面均匀开设有三排透气孔。该半导体陶瓷半导化工艺包括以下步骤：在密闭炉体中充满75％H2+25％N2的还原气体，给加热钼丝通电使其加热到1000‑1100℃；在钼承烧钵中装满待还原产品，在保证安全的前提下打开密闭炉体的一侧炉门，通过推送机构将承烧钵送进密闭炉体内的耐高温炉管中进行半导化。钼具有在高温还原气氛下不变形、耐高温、耐还原气氛不变色、不起皮，强度高的特点，使得半导体陶瓷半导化工艺中采用钼承烧钵替代Al2O3和不锈钢承烧钵，具有明显的改善工艺适应性的特点，长期来看钼承烧钵经济性更高。