[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010493731.X | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111640671B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 闫发旺;王庆宇;赵倍吉 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中所述制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；在所述堆叠结构的上表面形成导流装置，所述导流装置用于扩展所述氮化镓基高电子迁移率场效应管的沟道电场区域；在所述堆叠结构的上表面形成所述栅极、源极和漏极，且所述栅极的侧壁与所述导流装置接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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