[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 202010495297.9 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN112233961A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 赵亨振 | 申请（专利权）人： | TES股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基板处理装置，更详细地涉及一种在具备RPS(远程等离子体源，Remote Plasma Source)的基板处理装置中能够缓解等离子体引起的温度上升并防止温度上升引起的损伤及破损的基板处理装置。基板处理装置具备：腔室，对基板执行处理工艺；气体供应部，朝向所述基板供应气体或等离子体；等离子体产生部，设置于所述腔室的棚顶上表面并产生等离子体；气体供应管，与所述等离子体产生部连接并将所述等离子体向所述气体供应部供应；以及第一滑动引导部，将所述等离子体产生部以能够相对移动的方式连接于所述腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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