[发明专利]一种窄带隙半导体晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有高κ或异质埋氧层的窄带隙半导体晶体管及其制备方法，该晶体管具有一衬底，其上具有一高κ或异质埋氧层，该高κ或异质埋氧层上具有一窄带隙半导体沟道层以及栅结构，该栅结构包括两侧墙以及位于其中的栅极，在栅结构两侧具有源极和漏极。本发明的晶体管实现优化半导体晶体管，尤其是窄带隙半导体晶体管能带分布的器件结构，通过调控漏端的能带，从而能够抑制关态电流和静态能耗，并且能够与产业化半导体工艺相兼容，能够实现大规模集成化制备。