[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成第一掺杂材料层、沟道层和第二掺杂材料层的堆叠层，对堆叠层进行刻蚀得到第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，在第一隔离沟槽中形成绝缘层，之后可以通过第二隔离沟槽从侧向对沟道层进行刻蚀，保留绝缘层侧壁上的沟道层，以形成第一掺杂材料层和第二掺杂材料层之间的间隙，在间隙中形成栅介质层和栅极。这样，源极和漏极为平行于衬底表面的水平膜层，绝缘层侧壁上保留的沟道层作为源极和漏极之间的竖直方向上的沟道，无需高成本高精度的刻蚀，因此能够利用较低的成本和简易的工艺得到小尺寸高性能的器件。此外，第一隔离沟槽可以对堆叠层进行进一步分隔，从而提高器件的集成度。