[发明专利]深沟道隔离结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010495900.3 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113013086A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种深沟道隔离结构及其制作方法，制作方法包括：提供半导体衬底，其上依次形成有与所述半导体衬底类型相反的外延层、浅沟道隔离以及氮化物；在浅沟道隔离上进行深沟道隔离的光罩工艺以及反应离子刻蚀；线性氧化，并采用TEOS淀积；TEOS刻蚀，以清除顶部和底部的氧化物；多晶硅淀积，进行CMP工艺以及去除氮化物；淀积氧化物和氮化物，进行LOCOS光罩工艺以及反应离子刻蚀；LOCOS氧化；去除氮化物；ILD淀积，Contact通过多晶硅与所述半导体衬底连接。本发明通过TEOS刻蚀步骤清除了顶部和底部的氧化物，为多晶硅填充提供了更大空间，从而使得多晶硅与半导体衬底直接接触，省略了接触阱的制作过程。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 隔离 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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