[发明专利]一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法有效
| 申请号： | 202010495917.9 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111748769B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 何鋆;王琪;封国宝;杨晶;苗光辉;白春江;崔万照 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/24 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 710100 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 表面 高能 二次电子 发射 系数 方法 | ||
【主权项】：
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