[发明专利]一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器有效
| 申请号： | 202010496272.0 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111628255B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨冬霞;饶云博;钱慧珍;罗讯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208;H01P1/20 |
| 代理公司： | 成都智弘知识产权代理有限公司 51275 | 代理人： | 陈春;丁亮 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，信号层上设置有SIR谐振器、非对称阶跃短截线和馈电线路，所述信号层与所述第一金属层耦合连接，所述第一金属层为缺陷结构金属层，所述第二金属层为接地金属层，所述第一金属层与所述第二金属层组成封装缺陷地结构PDGS。第一金属层和第二金属层构成PDGS结构，该结构相对于传统的DGS结构增加了一层额外的地层，可以将电磁场限制在一个准腔体中，故而可以减小辐射损耗，从而降低滤波器的插入损耗。相对于传统的DGS结构而言，增加的额外一层地层使得传输线的分布电容增大，从而同样尺寸的情况下谐振频率左移，更容易实现小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 封装 缺陷 结构 紧凑型 宽阻带 带通滤波器 | ||
【主权项】：
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