[发明专利]一种基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器在审
申请号: | 202010496692.9 | 申请日: | 2020-06-03 |
公开(公告)号: | CN111599890A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 苏杰;常晶晶;张鹏亮;林珍华;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0336 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 梁静 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器,属于半导体器件技术领域。包括自下而上设有的衬底、绝缘氧化层、氧化镓层、二硫化钼层,所述二硫化钼层上设有彼此分隔的两块电极;所述氧化镓层与所述二硫化钼层之间形成二维异质结。本发明采用氧化镓/二硫化钼二维异质结结构,同时兼具氧化镓和二硫化钼的优点,能够提高载流子分离输运,使得光电探测器具有更快的上升响应时间和下降响应时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 二硫化钼 二维 异质结 高速 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的