[发明专利]一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构有效
| 申请号： | 202010496801.7 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111627864B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;刘文辉;伍志雄;王维乐;白朝辉 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/06 | 分类号： | H01L23/06;H01L23/10;H01L23/52;H01L25/07;H01L29/861 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，管壳的内腔为三腔室结构，每个腔室内对应设置有管芯，腔室的底部设置有底板，管壳的两端分别设置有引线，一端的引线依次连接三个腔室内的管芯后与另一端的引线连接，三只管芯与底板烧结后经压焊工艺将三只管芯串联形成硅堆，管壳的上方设置有盖板，盖板与内腔之间填充有硅凝胶，形成高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构。本发明硅堆外壳结构减小了体积，提高了工作结温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高结温 sic 陶瓷封装 外壳 结构 | ||
【主权项】：
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