[发明专利]一种TVS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TVS器件及其制造方法，包括绝缘体上覆半导体衬底，绝缘体上覆半导体衬底包括第一导电类型的衬底、绝缘层及上第一导电类型的外延层，外延层表面由隔离结构分隔为一TVS二极管区及多个低电容二极管区；TVS二极管区的外延层表面设置有第二导电类型的阱区，阱区表面设置有第一导电类型的TVS注入区，形成TVS二极管；低电容二极管区的N型外延层表面设置有普通N+区和普通P+区，形成低电容二极管。本发明通过隔离结构实现了IO接口到IO接口的隔离，减小了Vbr、Vtrig、Itrig、Vc，提高了器件的性能；通过不同的金属电极的连接方式，能够实现单个TVS二极管对多个IO接口的单向瞬态抑制，也能够实现IO接口的双向瞬态抑制，形成低电容双向TVS器件。