[发明专利]存储器模块在审
| 申请号： | 202010499778.7 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN112052195A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 林璇渶 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F12/0804 | 分类号： | G06F12/0804 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种支持DRAM高速缓存模式的非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)以及NVDIMM的操作方法。该NVDIMM包括DRAM芯片、NVM芯片、和控制器，该控制器控制该DRAM芯片作为该NVM芯片的高速缓存存储器操作。控制器在DRAM芯片的读取等待时间(RL)和NVM芯片的写入等待时间(WL)彼此相一致时参考被请求从主机写入NVM芯片的数据的高速缓存地址而将读取命令发送到DRAM芯片，并参考被请求写入的数据的地址而将写入命令发送到NVM芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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