[发明专利]一种基于石墨的临时键合和解键方法有效
申请号: | 202010500104.4 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN111599742B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 朱智源;韩志成;郭靖 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 李宏伟 |
地址: | 400715*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于石墨的临时键合和解键方法,该方法包括以下步骤:步骤1、提供一载片,在所述载片的正面规则的开一定形状的槽。步骤2、在所述载片的槽中放置石墨。步骤3、将载片正面和器件晶圆上设置键合胶。步骤4、将器件晶圆正面与载片正面进行键合,得到临时晶圆键合对。步骤5、对加工后的临时晶圆键合对,对器件晶圆背面进行加工。步骤6、将器件晶圆正面与载片正面进行解键合,将器件晶圆与载片进行分离。本发明的方法能够直接对键合层加热,实现快速键合,在低温加热下快速进行解键。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 临时 和解 方法 | ||
【主权项】:
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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