[发明专利]一种LDMOS触发的可编程单向保护器件有效

专利信息
申请号: 202010501486.2 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN111627905B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 李泽宏;何云娇;莫家宁;王彤阳;蒲小庆;程然;王志明;任敏;张金平;高巍;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 霍淑利
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种LDMOS触发的可编程单向保护器件,属于功率半导体技术领域。该单向保护器件通过一个由LDNMOS和NPNP晶闸管组成的负向保护结构提供电话线上负向浪涌保护;或者通过一个由LDPMOS和PNPN晶闸管组成的正向保护结构提供电话线上正向浪涌保护,避免了SLIC受到雷电等因素造成的浪涌冲击而损坏整机系统。另外,与已有的半导体抗浪涌保护器件相比,本发明LDMOS工艺与晶闸管工艺兼容,可单片集成;且LDMOS为单极型器件,相比使用三极管,功耗更低,开关速度也更快,利于该保护器件对浪涌更快响应且实现有效防护,此外,LDMOS有较好的温度特性,可防止热耗散的影响。
搜索关键词: 一种 ldmos 触发 可编程 单向 保护 器件
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010501486.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top