[发明专利]一种LDMOS触发的可编程单向保护器件有效
申请号: | 202010501486.2 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN111627905B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 李泽宏;何云娇;莫家宁;王彤阳;蒲小庆;程然;王志明;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 霍淑利 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种LDMOS触发的可编程单向保护器件,属于功率半导体技术领域。该单向保护器件通过一个由LDNMOS和NPNP晶闸管组成的负向保护结构提供电话线上负向浪涌保护;或者通过一个由LDPMOS和PNPN晶闸管组成的正向保护结构提供电话线上正向浪涌保护,避免了SLIC受到雷电等因素造成的浪涌冲击而损坏整机系统。另外,与已有的半导体抗浪涌保护器件相比,本发明LDMOS工艺与晶闸管工艺兼容,可单片集成;且LDMOS为单极型器件,相比使用三极管,功耗更低,开关速度也更快,利于该保护器件对浪涌更快响应且实现有效防护,此外,LDMOS有较好的温度特性,可防止热耗散的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 ldmos 触发 可编程 单向 保护 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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