[发明专利]一种太阳能电池正面多层减反射膜及其制备方法及电池在审
申请号: | 202010503181.5 | 申请日: | 2020-06-05 |
公开(公告)号: | CN111739949A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 刘海泉;杨二存;赵小平;刘浩东;高丽丽;时宝 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池正面多层减反射膜及其制备方法及电池,包括由下至上依次设置的碳氮化硅薄膜、第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和氧化硅薄膜,且各薄膜的折射率由下至上依次降低。本发明解决了现有氮化硅膜层之间折射率差距较大导致光学失配,造成光损失的问题,可降低太阳能电池正面整体反射率,减少光损失,增加光吸收,提高太阳能电池的转换效率;本发明由于碳氮化硅薄膜折射率较大,同时具有优异的钝化能力,提高钝化效果,进一步增强了太阳能电池的短波响应,提升了太阳能电池的抗PID性能。碳氮化硅与碳化硅相比,具有一定的化学活性,避免了碳化硅不能被正银浆料烧穿,从而无法在硅和银之间形成欧姆接触的缺点。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 正面 多层 减反射膜 及其 制备 方法 电池 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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