[发明专利]具有阶梯环结构的肖特基两级管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010505103.9 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111584618A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈彦豪 | 申请（专利权）人： | 苏州凤凰芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有阶梯环结构的肖特基两级管及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底及第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的上表面设有肖特基金属层，在第一导电类型重掺杂衬底的下表面连接有欧姆金属层；在第一导电类型外延层的上表面且与肖特基金属层邻接的氧化层，在第一导电类型外延层内沿着肖特基金属层和氧化层的结合界面下方设有终端外环，终端外环呈阶梯型结构，且终端外环的宽度从上往下呈逐层缩小设置。本发明利用阶梯型终端外环结构来有效调节优化分散平面型碳化硅肖特基两级管器件的表面电场强度，可以达到提高器件耐压、降低漏电电流并且可以进一步优化器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阶梯 结构 肖特基 两级 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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