[发明专利]记忆体元件在审
| 申请号： | 202010511919.2 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112531108A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈佑昇;邱大秦;吴昭谊;卡罗司·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露的部分实施例包括一记忆体元件，包含导电线、第一二维材料层、相变化元件和上电极。第一二维材料层位于导电线上方。相变化元件至少部分通过第一二维材料层和导电线分离。上电极位于相变化元件上方。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 元件 | ||
【主权项】：
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