[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010511924.3 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN112071895A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 梁正吉;宋升珉;郑秀真;裴东一;徐凤锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，其位于衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及外延图案，其位于有源区上，其中，外延图案包括分别从第一侧壁和第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接第一外延下侧壁和第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接第二外延下侧壁和第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，第一外延上侧壁与第二外延上侧壁之间的距离随着远离有源区而减小，并且第一外延下侧壁和第二外延下侧壁与衬底的顶表面平行地延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010511924.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
